FPF2C110BI07AS2

FPF2C110BI07AS2

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Peça do fabricante FPF2C110BI07AS2
Fabricante Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Categoria discrete semiconductor products
Família transistors - igbts - modules
Vida útil: New from this manufacturer.
Entrega: DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados FPF2C110BI07AS2 PDF

Disponibilidade

Em estoque 717.704
Preço unitário $ 73.73357

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FPF2C110BI07AS2 Especificações

Tipo Descrição
Series:-
pacote:Tray
estado da peça:Active
tipo igbt:-
configuração:Half Bridge
tensão - avaria do emissor do colector (máx.):650 V
corrente - coletor (ic) (máx.):40 A
potência - máx.:300 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 40A
corrente - corte do coletor (máx.):250 µA
capacitância de entrada (cies) @ vce:-
entrada:Standard
termistor ntc:Yes
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C
tipo de montagem:Through Hole
pacote / caso:30-DIP Module
pacote de dispositivos do fornecedor:F2

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