HSG1002VE-TL-E

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Peça do fabricante	HSG1002VE-TL-E
Fabricante	Rochester Electronics
Descrição	RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - bipolar (bjt) - rf
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	HSG1002VE-TL-E PDF

Disponibilidade

Em estoque	519.687
Preço unitário	$ 0.30000

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HSG1002VE-TL-E Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Bulk
estado da peça:	Active
tipo transistor:	NPN
tensão - avaria do emissor do colector (máx.):	3.5V
frequência - transição:	38GHz
figura de ruído (db typ @ f):	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
ganho:	8dB ~ 19.5dB
potência - máx.:	200mW
ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 5mA, 2V
corrente - coletor (ic) (máx.):	35mA
Temperatura de operação:	-
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote / caso:	4-SMD, Gull Wing
pacote de dispositivos do fornecedor:	4-MFPAK

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