RJH65D27BDPQ-A0#T2

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Peça do fabricante	RJH65D27BDPQ-A0#T2
Fabricante	Renesas Electronics America
Descrição	IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - igbts - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	RJH65D27BDPQ-A0#T2 PDF

Disponibilidade

Em estoque	2.315.565
Preço unitário	$ 0.00000

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RJH65D27BDPQ-A0#T2 Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Tube
estado da peça:	Active
tipo igbt:	Trench
tensão - avaria do emissor do colector (máx.):	650 V
corrente - coletor (ic) (máx.):	100 A
corrente - coletor pulsado (icm):	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.65V @ 15V, 50A
potência - máx.:	375 W
energia de comutação:	1mJ (on), 1.5mJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de portão:	175 nC
td (ligado/desligado) @ 25°c:	20ns/165ns
condição de teste:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
tempo de recuperação reversa (trr):	80 ns
Temperatura de operação:	175°C (TJ)
tipo de montagem:	Through Hole
pacote / caso:	TO-247-3
pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-247A

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