FGD3N60UNDF

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Peça do fabricante	FGD3N60UNDF
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição	IGBT 600V 6A 60W DPAK
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - igbts - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	FGD3N60UNDF PDF

Disponibilidade

Em estoque	2.779
Preço unitário	$ 1.06000

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FGD3N60UNDF Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da peça:	Active
tipo igbt:	NPT
tensão - avaria do emissor do colector (máx.):	600 V
corrente - coletor (ic) (máx.):	6 A
corrente - coletor pulsado (icm):	9 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.52V @ 15V, 3A
potência - máx.:	60 W
energia de comutação:	52µJ (on), 30µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de portão:	1.6 nC
td (ligado/desligado) @ 25°c:	5.5ns/22ns
condição de teste:	400V, 3A, 10Ohm, 15V
tempo de recuperação reversa (trr):	21 ns
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote / caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-252, (D-Pak)

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