TP65H070LDG

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Peça do fabricante	TP65H070LDG
Fabricante	Transphorm
Descrição	GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidade

Em estoque	673
Preço unitário	$ 12.98000

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TP65H070LDG Especificações

Tipo	Descrição
Series:	TP65H070L
pacote:	Tube
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
tensão de dreno para fonte (vdss):	650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	25A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	10V
rds em (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.8V @ 700µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	9.3 nC @ 10 V
vgs (máximo):	±20V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	600 pF @ 400 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	96W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote de dispositivos do fornecedor:	3-PQFN (8x8)
pacote / caso:	3-PowerDFN

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