NTTFS5116PLTWG

NTTFS5116PLTWG

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Peça do fabricante NTTFS5116PLTWG
Fabricante Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Categoria discrete semiconductor products
Família transistors - fets, mosfets - single
Vida útil: New from this manufacturer.
Entrega: DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados NTTFS5116PLTWG PDF

Disponibilidade

Em estoque 937.870
Preço unitário $ 0.89000

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NTTFS5116PLTWG Especificações

Tipo Descrição
Series:-
pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da peça:Active
tipo de pé:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss):60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:5.7A (Ta)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
rds em (max) @ id, vgs:52mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
vgs (máximo):±20V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1258 pF @ 30 V
recurso de pé:-
dissipação de energia (máx.):3.2W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem:Surface Mount
pacote de dispositivos do fornecedor:8-WDFN (3.3x3.3)
pacote / caso:8-PowerWDFN

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