IPB180N04S401ATMA1

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Peça do fabricante	IPB180N04S401ATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descrição	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	IPB180N04S401ATMA1 PDF

Disponibilidade

Em estoque	260
Preço unitário	$ 3.06000

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IPB180N04S401ATMA1 Especificações

Tipo	Descrição
Series:	OptiMOS™
pacote:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss):	40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	180A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	10V
rds em (max) @ id, vgs:	1.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 140µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	176 nC @ 10 V
vgs (máximo):	±20V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	14000 pF @ 25 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	188W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote de dispositivos do fornecedor:	PG-TO263-7-3
pacote / caso:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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