TPH3206LDGB

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Peça do fabricante	TPH3206LDGB
Fabricante	Transphorm
Descrição	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	TPH3206LDGB PDF

Disponibilidade

Em estoque	207.707
Preço unitário	$ 10.28000

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TPH3206LDGB Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Tube
estado da peça:	Obsolete
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	GaNFET (Gallium Nitride)
tensão de dreno para fonte (vdss):	650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	16A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	10V
rds em (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 11A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 500µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	9.3 nC @ 4.5 V
vgs (máximo):	±18V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 480 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	81W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote de dispositivos do fornecedor:	PQFN (8x8)
pacote / caso:	3-PowerDFN

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