IPD60N10S412ATMA1

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Peça do fabricante	IPD60N10S412ATMA1
Fabricante	Rochester Electronics
Descrição	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3-313
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	IPD60N10S412ATMA1 PDF

Disponibilidade

Em estoque	9.795
Preço unitário	$ 0.55000

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IPD60N10S412ATMA1 Especificações

Tipo	Descrição
Series:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacote:	Bulk
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss):	100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	60A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	10V
rds em (max) @ id, vgs:	12.2mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 46µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (máximo):	±20V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	2.47 pF @ 25 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	94W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote de dispositivos do fornecedor:	PG-TO252-3-313
pacote / caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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