IMBG120R090M1HXTMA1

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Peça do fabricante	IMBG120R090M1HXTMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descrição	TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	IMBG120R090M1HXTMA1 PDF

Disponibilidade

Em estoque	466.828
Preço unitário	$ 14.47000

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IMBG120R090M1HXTMA1 Especificações

Tipo	Descrição
Series:	CoolSiC™
pacote:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
tensão de dreno para fonte (vdss):	1.2 kV
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	26A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	-
rds em (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 3.7mA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 18 V
vgs (máximo):	+18V, -15V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	763 pF @ 800 V
recurso de pé:	Standard
dissipação de energia (máx.):	136W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote de dispositivos do fornecedor:	PG-TO263-7-12
pacote / caso:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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