IPI65R660CFDXKSA1

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Peça do fabricante	IPI65R660CFDXKSA1
Fabricante	Rochester Electronics
Descrição	MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	IPI65R660CFDXKSA1 PDF

Disponibilidade

Em estoque	15.500
Preço unitário	$ 0.65000

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IPI65R660CFDXKSA1 Especificações

Tipo	Descrição
Series:	CoolMOS™
pacote:	Tube
estado da peça:	Obsolete
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss):	650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	6A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	10V
rds em (max) @ id, vgs:	660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 200µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vgs (máximo):	±20V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	615 pF @ 100 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	62.5W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Through Hole
pacote de dispositivos do fornecedor:	PG-TO262-3
pacote / caso:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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