TSM4ND65CI

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Peça do fabricante	TSM4ND65CI
Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrição	MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	TSM4ND65CI PDF

Disponibilidade

Em estoque	3.944
Preço unitário	$ 1.19000

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TSM4ND65CI Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Tube
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss):	650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	4A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	10V
rds em (max) @ id, vgs:	2.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 250µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	16.8 nC @ 10 V
vgs (máximo):	±30V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	596 pF @ 50 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	41.6W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Through Hole
pacote de dispositivos do fornecedor:	ITO-220
pacote / caso:	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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