CSD19538Q2T

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Peça do fabricante	CSD19538Q2T
Fabricante	Texas Instruments
Descrição	MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidade

Em estoque	18.139.750
Preço unitário	$ 0.68000

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CSD19538Q2T Especificações

Tipo	Descrição
Series:	NexFET™
pacote:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss):	100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	13.1A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	6V, 10V
rds em (max) @ id, vgs:	59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 250µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	5.6 nC @ 10 V
vgs (máximo):	±20V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	454 pF @ 50 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote de dispositivos do fornecedor:	6-WSON (2x2)
pacote / caso:	6-WDFN Exposed Pad

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