R6007END3TL1

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Peça do fabricante	R6007END3TL1
Fabricante	ROHM Semiconductor
Descrição	MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidade

Em estoque	38
Preço unitário	$ 2.14000

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R6007END3TL1 Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss):	600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	7A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	10V
rds em (max) @ id, vgs:	620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (máximo):	±20V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	390 pF @ 25 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	78W (Tc)
Temperatura de operação:	150°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-252
pacote / caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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