TW070J120B,S1Q

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Peça do fabricante	TW070J120B,S1Q
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidade

Em estoque	273
Preço unitário	$ 33.97000

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TW070J120B,S1Q Especificações

Tipo	Descrição
Series:	*
pacote:	Tube
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
tensão de dreno para fonte (vdss):	1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	36A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	20V
rds em (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 18A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	5.8V @ 20mA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	67 nC @ 20 V
vgs (máximo):	±25V, -10V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	1680 pF @ 800 V
recurso de pé:	Standard
dissipação de energia (máx.):	272W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 175°C
tipo de montagem:	Through Hole
pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-3P(N)
pacote / caso:	TO-3P-3, SC-65-3

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