FQNL2N50BTA

A imagem é para referência, entre em contato conosco para obter a imagem real

Peça do fabricante	FQNL2N50BTA
Fabricante	Rochester Electronics
Descrição	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	FQNL2N50BTA PDF

Disponibilidade

Em estoque	20.000
Preço unitário	$ 0.21000

FQNL2N50BTA Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FQNL2N50BTA Especificações

Tipo	Descrição
Series:	QFET®
pacote:	Bulk
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss):	500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	350mA (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	10V
rds em (max) @ id, vgs:	5.3Ohm @ 175mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 250µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 10 V
vgs (máximo):	±30V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	230 pF @ 25 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	1.5W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Through Hole
pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-92-3
pacote / caso:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.