SCT3060ALGC11

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Peça do fabricante	SCT3060ALGC11
Fabricante	ROHM Semiconductor
Descrição	SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	SCT3060ALGC11 PDF

Disponibilidade

Em estoque	335
Preço unitário	$ 12.38000

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SCT3060ALGC11 Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Tube
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
tensão de dreno para fonte (vdss):	650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	39A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	18V
rds em (max) @ id, vgs:	78mOhm @ 13A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 6.67mA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	58 nC @ 18 V
vgs (máximo):	+22V, -4V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	852 pF @ 500 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	165W (Tc)
Temperatura de operação:	175°C (TJ)
tipo de montagem:	Through Hole
pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-247N
pacote / caso:	TO-247-3

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