IRFB4110PBF

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Peça do fabricante	IRFB4110PBF
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descrição	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	IRFB4110PBF PDF

Disponibilidade

Em estoque	2.227
Preço unitário	$ 3.11000

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IRFB4110PBF Especificações

Tipo	Descrição
Series:	HEXFET®
pacote:	Tube
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss):	100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	10V
rds em (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	210 nC @ 10 V
vgs (máximo):	±20V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	9620 pF @ 50 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	370W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem:	Through Hole
pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-220AB
pacote / caso:	TO-220-3

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