SCTWA50N120

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Peça do fabricante	SCTWA50N120
Fabricante	STMicroelectronics
Descrição	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	SCTWA50N120 PDF

Disponibilidade

Em estoque	1.240
Preço unitário	$ 29.63000

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SCTWA50N120 Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Tube
estado da peça:	Active
tipo de pé:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
tensão de dreno para fonte (vdss):	1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	65A (Tc)
tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):	20V
rds em (max) @ id, vgs:	69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	122 nC @ 20 V
vgs (máximo):	+25V, -10V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 400 V
recurso de pé:	-
dissipação de energia (máx.):	318W (Tc)
Temperatura de operação:	-55°C ~ 200°C (TJ)
tipo de montagem:	Through Hole
pacote de dispositivos do fornecedor:	HiP247™
pacote / caso:	TO-247-3

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