CSD85312Q3E

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Peça do fabricante	CSD85312Q3E
Fabricante	Texas Instruments
Descrição	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - arrays
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidade

Em estoque	3.607
Preço unitário	$ 0.99000

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CSD85312Q3E Especificações

Tipo	Descrição
Series:	NexFET™
pacote:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da peça:	Active
tipo de pé:	2 N-Channel (Dual) Common Source
recurso de pé:	Logic Level Gate, 5V Drive
tensão de dreno para fonte (vdss):	20V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	39A
rds em (max) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	1.4V @ 250µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	15.2nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	2390pF @ 10V
potência - máx.:	2.5W
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote / caso:	8-PowerVDFN
pacote de dispositivos do fornecedor:	8-VSON (3.3x3.3)

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