EPC2110ENGRT

A imagem é para referência, entre em contato conosco para obter a imagem real

Peça do fabricante	EPC2110ENGRT
Fabricante	EPC
Descrição	GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - arrays
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	EPC2110ENGRT PDF

Disponibilidade

Em estoque	261.187
Preço unitário	$ 2.37000

EPC2110ENGRT Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2110ENGRT Especificações

Tipo	Descrição
Series:	eGaN®
pacote:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da peça:	Active
tipo de pé:	2 N-Channel (Dual) Common Source
recurso de pé:	GaNFET (Gallium Nitride)
tensão de dreno para fonte (vdss):	120V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	3.4A
rds em (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 700µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	0.8nC @ 5V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	80pF @ 60V
potência - máx.:	-
Temperatura de operação:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote / caso:	Die
pacote de dispositivos do fornecedor:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.