EPC2100ENGRT

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Peça do fabricante	EPC2100ENGRT
Fabricante	EPC
Descrição	GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - arrays
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	EPC2100ENGRT PDF

Disponibilidade

Em estoque	78.312
Preço unitário	$ 5.18320

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EPC2100ENGRT Especificações

Tipo	Descrição
Series:	eGaN®
pacote:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da peça:	Active
tipo de pé:	2 N-Channel (Half Bridge)
recurso de pé:	GaNFET (Gallium Nitride)
tensão de dreno para fonte (vdss):	30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	10A (Ta), 40A (Ta)
rds em (max) @ id, vgs:	8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
potência - máx.:	-
Temperatura de operação:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote / caso:	Die
pacote de dispositivos do fornecedor:	Die

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