IRF8910PBF

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Peça do fabricante	IRF8910PBF
Fabricante	Rochester Electronics
Descrição	HEXFET POWER MOSFET
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - arrays
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	IRF8910PBF PDF

Disponibilidade

Em estoque	156.544
Preço unitário	$ 0.36000

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IRF8910PBF Especificações

Tipo	Descrição
Series:	HEXFET®
pacote:	Tube
estado da peça:	Obsolete
tipo de pé:	2 N-Channel (Dual)
recurso de pé:	Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss):	20V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	10A
rds em (max) @ id, vgs:	13.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.55V @ 250µA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	11nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	960pF @ 10V
potência - máx.:	2W
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote / caso:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivos do fornecedor:	8-SO

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