EFC6602R-TR

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Peça do fabricante	EFC6602R-TR
Fabricante	Rochester Electronics
Descrição	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - arrays
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	EFC6602R-TR PDF

Disponibilidade

Em estoque	130.439
Preço unitário	$ 0.23000

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EFC6602R-TR Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Bulk
estado da peça:	Active
tipo de pé:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
recurso de pé:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
tensão de dreno para fonte (vdss):	12V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:	18A (Ta)
rds em (max) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 1mA
carga do portão (qg) (max) @ vgs:	55nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:	-
potência - máx.:	2W (Ta)
Temperatura de operação:	150°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote / caso:	6-XFBGA, WLCSP
pacote de dispositivos do fornecedor:	6-WLCSP (1.81x2.7)

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