NXH35C120L2C2S1G

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Peça do fabricante	NXH35C120L2C2S1G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição	IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - igbts - modules
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidade

Em estoque	84.449
Preço unitário	$ 44.22000

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NXH35C120L2C2S1G Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Tube
estado da peça:	Active
tipo igbt:	-
configuração:	Three Phase Inverter with Brake
tensão - avaria do emissor do colector (máx.):	1200 V
corrente - coletor (ic) (máx.):	35 A
potência - máx.:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 35A
corrente - corte do coletor (máx.):	250 µA
capacitância de entrada (cies) @ vce:	8.33 nF @ 20 V
entrada:	Three Phase Bridge Rectifier
termistor ntc:	Yes
Temperatura de operação:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Through Hole
pacote / caso:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
pacote de dispositivos do fornecedor:	26-DIP

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