IGN1011L70

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Peça do fabricante	IGN1011L70
Fabricante	Integra Technologies
Descrição	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - fets, mosfets - rf
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	IGN1011L70 PDF

Disponibilidade

Em estoque	252.675
Preço unitário	$ 222.00000

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IGN1011L70 Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Bulk
estado da peça:	Active
tipo transistor:	GaN HEMT
frequência:	1.03GHz ~ 1.09GHz
ganho:	22dB
tensão - teste:	50 V
classificação atual (amps):	-
figura de ruído:	-
corrente - teste:	22 mA
Potência da saída:	80W
tensão - nominal:	120 V
pacote / caso:	PL32A2
pacote de dispositivos do fornecedor:	PL32A2

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