MT3S111P(TE12L,F)

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Peça do fabricante	MT3S111P(TE12L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - bipolar (bjt) - rf
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	MT3S111P(TE12L,F) PDF

Disponibilidade

Em estoque	7.857
Preço unitário	$ 0.89000

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MT3S111P(TE12L,F) Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da peça:	Active
tipo transistor:	NPN
tensão - avaria do emissor do colector (máx.):	6V
frequência - transição:	8GHz
figura de ruído (db typ @ f):	1.25dB @ 1GHz
ganho:	10.5dB
potência - máx.:	1W
ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
corrente - coletor (ic) (máx.):	100mA
Temperatura de operação:	150°C (TJ)
tipo de montagem:	Surface Mount
pacote / caso:	TO-243AA
pacote de dispositivos do fornecedor:	PW-MINI

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