2N4123

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Peça do fabricante	2N4123
Fabricante	NTE Electronics, Inc.
Descrição	T-NPN SI- GEN PUR AMP
Categoria	discrete semiconductor products
Família	transistors - bipolar (bjt) - single
Vida útil:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de dados	2N4123 PDF

Disponibilidade

Em estoque	7.046
Preço unitário	$ 0.12600

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2N4123 Especificações

Tipo	Descrição
Series:	-
pacote:	Bag
estado da peça:	Active
tipo transistor:	NPN
corrente - coletor (ic) (máx.):	200 mA
tensão - avaria do emissor do colector (máx.):	30 V
saturação de vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 5mA, 50mA
corrente - corte do coletor (máx.):	50nA (ICBO)
ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	50 @ 2mA, 1V
potência - máx.:	350 mW
frequência - transição:	250MHz
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem:	Through Hole
pacote / caso:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-92

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